晶圓代工廠聯電與記憶體架構設計商愛普宣布展開合作，結合深溝槽電容（DTC）製造技術與矽電容設計能力，共同拓展 AI 伺服器與先進封裝的電源整合市場。雙方合作開發的客製化產品已於本季完成首波投片與初步功能驗證，隨後將進入系統效能與可靠度的測試階段。
結合兩大專長 打造晶片級電源解決方案
隨著人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）晶片運算能力大幅升級，資料中心的電源管理架構正面臨嚴苛挑戰。為了滿足高功耗 AI 晶片的需求，電力傳輸架構必須減少傳輸過程中的電能損耗，並保持高度電壓穩定性。
在此次合作模式中，聯電主要提供深溝槽電容技術與晶圓製造服務，愛普則負責客製化矽電容的設計與系統整合。雙方已順利完成第二代分離式矽電容（S-SiCap Gen2D）的投片及初步驗證，下一階段將針對封裝基板內的電容配置進行完整測試，以支援不同電容量與工作電壓的需求。
此外，雙方也正研究將此項技術進一步延伸至矽中介層嵌入式電容、基板底面電容等領域。聯電除了提供分離式與嵌入式矽電容外，亦同步布局內部電壓調節器等主動元件，期望建立全方位的晶片級供電解決方案。
這代表什麼
這項合作凸顯了 AI 伺服器硬體競爭焦點正從單純的「運算效能」擴展至「整體供電效率與散熱管理」。對於台灣半導體產業與相關企業而言，這項技術發展具有以下幾點重要意義：
- 供電架構垂直整合成為新趨勢：過去電源管理主要依賴主機板層級的電路設計，但隨著 AI 晶片功耗激增，電力傳輸的路徑越長，產生的熱能與電能損耗就越高。將電容等元件直接嵌入封裝基板或中介層，能有效縮短供電距離，這是先進封裝不可或缺的技術突破。
- 成熟製程尋得高附加價值轉型路線：聯電身為成熟製程代工大廠，透過將特殊製程（如深溝槽電容）與先進封裝整合，能避免單純價格競爭，在 AI 浪潮中開闢高毛利的特殊應用市場。
- 一站式服務加速客戶產品導入：設計廠愛普與晶圓代工廠結盟後，能夠為客戶提供從電容架構設計到晶圓製造的完整解決方案，有助於縮短客戶開發 AI 伺服器晶片的上市時間。
背景補充
要理解這次合作的技術關鍵，需要認識傳統電源元件與先進封裝架構的演進：
矽電容與深溝槽電容（DTC）：傳統電路板多採用積層陶瓷電容（MLCC）來穩定電壓，但 MLCC 體積較大且耐高溫能力有限。矽電容（Silicon Capacitor）以矽晶圓為基底製作，具備極薄、耐高溫、高頻特性佳等優點；而深溝槽電容技術則是利用在矽晶圓上刻出深度溝槽結構，大幅增加表面積，從而能在極小的晶片面積內實現高密度的電容儲能。
先進封裝與異質整合：隨著摩爾定律放緩，將處理器、記憶體與電源管理元件封裝在同一顆晶片模組內的「異質整合」成為主流。其中「矽中介層」與「封裝基板」是連結不同晶片單元的重要橋樑。將供電元件直接埋入中介層或基板下方，即可實現更緊湊、效率更高的晶片級電源網路。
常見問題
聯電與愛普合作的核心技術是什麼？
雙方結合了聯電的深溝槽電容（DTC）晶圓製造技術，以及愛普的客製化矽電容設計能力，共同開發嵌入於封裝基板與中介層的電源整合方案。
為什麼 AI 伺服器需要改用矽電容？
AI 晶片功耗極高，傳統電路板電容傳輸路徑過長且損耗大；矽電容體積輕薄且耐高溫，可直接嵌入先進封裝中，貼近晶片供電以提升穩定度。
這次合作對聯電與愛普有何效益？
聯電可透過特殊製程切入先進封裝與 AI 伺服器供應鏈，拓展高毛利業務；愛普則能運用聯電的製造資源，提供客戶從設計到晶圓代工的一站式服務。