AI 伺服器轉向 800V 架構:氮化鎵半導體迎來量產爆發期 2026 年 9 月 29 日 作者: 陳俊傑 隨著 AI 伺服器運算機架功耗突破 1MW,輝達預計於 2027 年推動 800V 架構,帶動第三代半導體氮化鎵(GaN)邁入伺服器電源供應的爆發期。