AI 伺服器轉向 800V 架構:氮化鎵半導體迎來量產爆發期
隨著 AI 伺服器運算機架功耗突破 1MW,輝達預計於 2027 年推動 800V 架構,帶動第三代半導體氮化鎵(GaN)邁入伺服器電源供應的爆發期。
隨著 AI 伺服器運算機架功耗突破 1MW,輝達預計於 2027 年推動 800V 架構,帶動第三代半導體氮化鎵(GaN)邁入伺服器電源供應的爆發期。
隨著人工智慧伺服器算力快速提升,整體系統耗電量大增,帶動電源管理晶片與功率半導體需求爆發。市場關注焦點逐漸從算力晶片延伸至電源與熱能管理供應鏈。